GB/T 32278-2025 Active National standards

GB/T 32278-2025 Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers

Publish Date: 2025-08-01 Implement Date: 2026-02-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 32278-2025

Standard Type: National standards

Standard Status: Active

is_force_gb: no

CCS Name: \nTest methods for the physical properties of metals

ICS Name: \nMetal material testing

Publish Date: 2025-08-01

Implement Date: 2026-02-01

Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

Technical Committee: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

Pages: 12 pages

Scope

本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

Development Information

Drafting Units:

北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体(浙江)有限公司