GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 30867-2014
被代替
国家标准
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 30867-2014
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2014-07-24
实施日期:
2015-02-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
8 页
适用范围
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
研制信息
起草单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
起草人:
丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川