GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 43885-2024
现行
国家标准
GB/T 43885-2024 碳化硅外延片
GB/T 43885-2024 Silicon carbide epitaxial wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 43885-2024
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2024-04-25
实施日期:
2024-11-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
11 页
适用范围
本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力电子器件。
研制信息
起草单位:
南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、连科半导体有限公司
起草人:
李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗静、冯淦、杨玉聪、王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍
引用标准
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GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
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