GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 11073-2025
现行
国家标准
GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法
GB/T 11073-2025 Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 11073-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2025-10-31
实施日期:
2026-05-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
页数:
12 页
适用范围
本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。
研制信息
起草单位:
麦斯克电子材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、中环领先半导体科技股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司
起草人:
方丽霞、郭可、马武祥、邢胜昌、张志林、寇文杰、王江华、朱晓彤、邓春星、黄笑容、潘金平、李慎重、冯天、尚海波、马金峰