GB/T 12965-2005 被代替 国家标准

GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片

GB/T 12965-2005 Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices

发布日期: 2005-09-19 实施日期: 2006-04-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 12965-2005
标准类型: 国家级标准
标准状态: 被代替
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 元素半导体材料
国际标准分类名称: 半导体材料
发布日期: 2005-09-19
实施日期: 2006-04-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国有色金属标准化技术委员会
页数: 8 页

研制信息

起草单位:

北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所

起草人:

孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义

字数: 13 千字 页数: 8 页

替代以下标准

被以下标准替代

引用标准

GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962-1996 硅单晶 GB/T 12962-2005 硅单晶 GB/T 12962-2015 硅单晶 GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片 GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片 GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法 GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法 GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法 YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法 GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法 GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法

相关标准

联系我们