GB/T 11073-2025 Active National standards

GB/T 11073-2025 Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers

Publish Date: 2025-10-31 Implement Date: 2026-05-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 11073-2025

Standard Type: National standards

Standard Status: Active

is_force_gb: no

CCS Name: Analysis methods for semi-metallic and semiconductor materials

ICS Name: \nMetal material testing

Publish Date: 2025-10-31

Implement Date: 2026-05-01

Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

Technical Committee: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

Pages: 12 pages

Scope

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。

Development Information

Drafting Units:

麦斯克电子材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、中环领先半导体科技股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司