GB/T 4298-1984
废止
GB/T 42191-2023
现行
国家标准
GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
GB/T 42191-2023 Test methods of the performances for MEMS piezoresistive pressure-sensitive device
基本信息
标准编号:
GB/T 42191-2023
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
微型组件
国际标准分类名称:
其他半导体分立器件
发布日期:
2023-05-23
实施日期:
2023-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
页数:
14 页
适用范围
本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。
本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。
研制信息
起草单位:
北京大学、中机生产力促进中心有限公司、北京智芯传感科技有限公司、昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、江门市润宇传感器科技有限公司、宁波志伦电子有限公司、广州奥松电子股份有限公司、华东光电集成器件研究所、深圳市美思先端电子有限公司、南京高华科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、湖南国天电子科技有限公司、南京沃天科技股份有限公司、广州广电计量检测股份有限公司、武汉飞恩微电子有限公司、深圳安培龙科技股份有限公司、昆山传感器测控技术有限公司
起草人:
张威、顾枫、李根梓、陈广忠、李宋、张亚婷、张良、陈立国、林瑞梅、李树成、茅曙、张宾、王鹏、李晓波、许宙、王玮冰、陈路、高峰、明志茂、曹万、陈君杰、王冰
引用标准
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
GB/T 2423.5-1995 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则：冲击
GB/T 2423.5-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则：冲击
GB/T 2423.22-2002 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
GB/T 4937.12-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动
GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T 26111-2023 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法