GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 1558-2009
被代替
国家标准
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
基本信息
标准编号:
GB/T 1558-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
7 页
适用范围
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。
本标准适用于电阻率高于3 Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。
本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
本标准测量的碳原子含量的有效范围：室温下从硅中代位碳原子含量5×1015 at·cm-3 (0.1 ppma)到碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为5×1014 at·cm-3 (0.01 ppma)。
研制信息
起草单位:
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂
起草人:
何秀坤、李静、段曙光、梁洪
替代以下标准
被以下标准替代
引用标准
采用标准
SEMI MF 1391-0704