GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 24574-2009
现行
国家标准
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24574-2009 Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
基本信息
标准编号:
GB/T 24574-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
11 页
适用范围
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。
研制信息
起草单位:
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人:
李静、何秀坤、蔺娴
引用标准
采用标准
SEMI MF 1389-0704