GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 24581-2009
被代替
国家标准
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T 24581-2009 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
基本信息
标准编号:
GB/T 24581-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
9 页
适用范围
2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。
研制信息
起草单位:
四川新光硅业科技有限责任公司
起草人:
梁洪、过惠芬、吴道荣
被以下标准替代
引用标准
SEMI MF1723
ASTM E131
ASTM E168
ASTM E177
ASTM E275
GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
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GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
采用标准
SEMI MF 1630-0704