GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 4059-2018
现行
国家标准
GB/T 4059-2018 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4059-2018 Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere
基本信息
标准编号:
GB/T 4059-2018
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2018-12-28
实施日期:
2019-11-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
8 页
适用范围
本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量（原子数)的测定，测定范围为0.01×1013 cm-3～500×1013 cm-3。
研制信息
起草单位:
江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、亚洲硅业(青海)有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、鄂尔多斯多晶硅业有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、乐山市产品质量监督检验所、山东大海新能源发展有限公司
起草人:
胡伟、耿全荣、胡自强、鲁文锋、柳德发、薛心禄、蔡延国、尹东林、宗凤云、邱艳梅、刘国霞、高明、楚东旭、刘翠、王瑞、姚利忠、梁洪、唐珊珊、王佳
替代以下标准
引用标准
GB/T 11446.1-2013 电子级水
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分：空气洁净度等级
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
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GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
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GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4060-2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法
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GB/T 4842-2006 氩
GB/T 4842-2017 氩
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GB/T 14264-2009 半导体材料术语
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GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
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