GB/T 14140.1-1993
被代替
GB/T 4059-2007
被代替
国家标准
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4059-2007 Polycrystalline silicon—Examination method—Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere
基本信息
标准编号:
GB/T 4059-2007
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称:
金属材料试验综合
发布日期:
2007-09-11
实施日期:
2008-02-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
6 页
适用范围
本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。
研制信息
起草单位:
峨眉半导体材料厂
起草人:
罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东
替代以下标准
被以下标准替代
引用标准
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
采用标准
ASTM F 1723-1996