GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 14141-2009
现行
国家标准
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14141-2009 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
基本信息
标准编号:
GB/T 14141-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
9 页
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10 Ω～5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
研制信息
起草单位:
宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人:
李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤