GB/T 1557-2018 现行 国家标准

GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T 1557-2018 Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

发布日期: 2018-09-17 实施日期: 2019-06-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 1557-2018
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称: 金属材料试验
发布日期: 2018-09-17
实施日期: 2019-06-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数: 10 页

适用范围

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时,氧含量(原子数)测试范围从1×1016 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度;以低温红外设备测试时,氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

研制信息

起草单位:

新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司

起草人:

银波、夏进京、邱艳梅、刘国霞、柴欢、赵晶晶、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、高明、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰

字数: 18 千字 页数: 10 页

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