GB/T 12963-1996 被代替国家标准

GB/T 12963-1996 硅多晶

GB/T 12963-1996 Polycrystalline silicon

发布日期: 1996-11-04 实施日期: 1997-04-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 12963-1996

标准类型: 国家级标准

标准状态: 被代替

is_force_gb: no

中国标准分类名称: 元素半导体材料

国际标准分类名称: 半导体材料

发布日期: 1996-11-04

实施日期: 1997-04-01

发布单位/组织: 国家技术监督局

归口单位: 中国有色金属工业总公司标准计量研究所

页数: 8 页

研制信息

起草单位:

峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所

起草人:

王鸿高、尹建华、刘文魁、吴福立

字数: 6 千字 页数: 8 页

替代以下标准

GB 12963-1991

被以下标准替代

GB/T 12963-2009 硅多晶

引用标准

GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB 1558-83 GB 4059-83 GB 4060-83 GB 4061-83 GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法

采用标准

SEMI M16-1989

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GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片

发布日期: 1992-12-28

GB/T 14139-1993 被代替

GB/T 14139-1993 硅外延片

发布日期: 1993-02-06