GB/T 6455-1986
abolished_transferred
GB/T 6617-1995
被代替
国家标准
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-1995 Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
基本信息
标准编号:
GB/T 6617-1995
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属物理性能试验方法
国际标准分类名称:
有色金属
发布日期:
1995-04-18
实施日期:
1995-12-01
发布单位/组织:
国家技术监督局
页数:
8 页
研制信息
起草单位:
上海有色金属研究所
起草人:
施海青、张建宇、夏锦禄
替代以下标准
GB 6617-1986
被以下标准替代
引用标准
GB 1556
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
GB/T 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
采用标准
ASTM F525-1988