GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 6617-2009
现行
国家标准
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
基本信息
标准编号:
GB/T 6617-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
7 页
适用范围
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。
研制信息
起草单位:
南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
起草人:
马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等
替代以下标准
引用标准
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法