GB/T 14863-2013 废止国家标准

GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

GB/T 14863-2013 Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

发布日期: 2013-12-31 实施日期: 2014-08-15 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

标准编号: GB/T 14863-2013

标准类型: 国家级标准

标准状态: 废止

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中国标准分类名称: 半金属与半导体材料

国际标准分类名称: 半导体材料

发布日期: 2013-12-31

实施日期: 2014-08-15

发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位: 中国电子技术标准化研究院

页数: 13 页

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录A）相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠

字数: 24 千字 页数: 13 页