SJ 21441-2018 现行行业标准-电子

SJ 21441-2018 SiC-HPSI 型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范

SJ 21441-2018 Specification for high purity semi-insulating silicon carbide monocrystalline wafers of SiC-HPSI

发布日期: 2018-01-18 实施日期: 2018-05-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

价格: $ 30

基本信息

标准编号: SJ 21441-2018

标准类型: 行业标准

标准状态: 现行

is_force_gb: no

中国标准分类名称: -

国际标准分类名称: -

发布日期: 2018-01-18

实施日期: 2018-05-01

归口单位: 工业和信息化部电子第四研究院

页数: 24 页

适用范围

本规范规定了SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片的技术要求、质量保证规定、交货准备等。本规范适用于SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片(以下简称碳化硅单晶片)

研制信息

起草单位:

中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人:

窦瑛、齐海涛、杨丹丹、高飞、洪颖、孟大磊、张政、张皓、郑风振、牛栋华

页数: 24 页

引用标准

GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 191-2000 包装储运图示标志 GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 GJB 179A-1996 GB/T 191-2025 包装储运图形符号标志

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