GB/T 12962-1996 被代替国家标准

GB/T 12962-1996 硅单晶

GB/T 12962-1996 Monocrystalline silicon

发布日期: 1996-11-04 实施日期: 1997-04-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 12962-1996

标准类型: 国家级标准

标准状态: 被代替

is_force_gb: no

中国标准分类名称: 元素半导体材料

国际标准分类名称: 半导体材料

发布日期: 1996-11-04

实施日期: 1997-04-01

发布单位/组织: 国家技术监督局

归口单位: 中国有色金属工业总公司标准计量研究所

页数: 12 页

研制信息

起草人:

王鸿高、刘文魁、尹建华、吴福立

字数: 12 千字 页数: 12 页

替代以下标准

GB 12962-1991

被以下标准替代

GB/T 12962-2005 硅单晶

引用标准

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB 1555-79 GB 1556-79 GB 1557-89 GB 1558-83 GB/T 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB 11073-89 GB/T 12964-1996 GB/T 14844-93 GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法

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