GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 12962-2005
被代替
国家标准
GB/T 12962-2005 硅单晶
GB/T 12962-2005 Monoccrystalline silicon
基本信息
标准编号:
GB/T 12962-2005
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
元素半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2005-09-19
实施日期:
2006-04-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国有色金属标准化技术委员会
页数:
9 页
研制信息
起草单位:
北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所
起草人:
孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义
替代以下标准
被以下标准替代
引用标准
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法
GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法
GB/T 14143-1993 300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
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GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法