GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 26068-2010
被代替
国家标准
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26068-2010 Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
基本信息
标准编号:
GB/T 26068-2010
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2011-01-10
实施日期:
2011-10-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
23 页
适用范围
1.1本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
1.2被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05 Ω·cm～1 Ω·cm之间。
注： 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。
1.3分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。
研制信息
起草单位:
有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司
起草人:
曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯
被以下标准替代
引用标准
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
SEMI MF978
SEMI MF1388
SEMI MF1530
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 11446.1-1997 电子级水
GB/T 11446.1-2013 电子级水
GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语