GB/T 11094-2007 被代替国家标准

GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2007 Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

发布日期: 2007-09-11 实施日期: 2008-02-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 11094-2007

标准类型: 国家级标准

标准状态: 被代替

is_force_gb: no

中国标准分类名称: 化合物半导体材料

国际标准分类名称: 半导体材料

发布日期: 2007-09-11

实施日期: 2008-02-01

发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

页数: 9 页

适用范围

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

研制信息

起草单位:

北京有色金属研究总院

起草人:

武壮文、王继荣、张海涛、于洪国

字数: 15 千字 页数: 9 页

替代以下标准

GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片

被以下标准替代

GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片

引用标准

GJB 1927 GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法 GB/T 14264-1993 半导体材料术语 GB/T 14264-2009 半导体材料术语 GB/T 14264-2024 半导体材料术语 GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

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