GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 11094-2020
现行
国家标准
GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
GB/T 11094-2020 Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
基本信息
标准编号:
GB/T 11094-2020
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2020-09-29
实施日期:
2021-08-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
11 页
适用范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
研制信息
起草单位:
有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
起草人:
于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李万朋、许所成、权盼、朱刘、周铁军、闫方亮、杨丽霞、付萍
替代以下标准
引用标准
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法