GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 20228-2021
现行
国家标准
GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
GB/T 20228-2021 Gallium arsenide single crystal
基本信息
标准编号:
GB/T 20228-2021
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2021-05-21
实施日期:
2021-12-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
8 页
适用范围
本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。
研制信息
起草单位:
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广东先导先进材料股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、义乌力迈新材料有限公司
起草人:
惠峰、林作亮、普世坤、李素青、尹国文、陈维迪、周铁军、董汝昆、罗爱斌、林泉、马英俊、宾启雄、皮坤林
替代以下标准
引用标准
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
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GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法