SJ 21443-2018 现行行业标准-电子

SJ 21443-2018 GaN-N 型低阻氮化镓单晶片规范

SJ 21443-2018 Specification for low resisfance gallium nitridemonocrystalline wafers of GaN-N

发布日期: 2018-01-18 实施日期: 2018-05-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

价格: $ 30

基本信息

标准编号: SJ 21443-2018

标准类型: 行业标准

标准状态: 现行

is_force_gb: no

中国标准分类名称: -

国际标准分类名称: -

发布日期: 2018-01-18

实施日期: 2018-05-01

归口单位: 工业和信息化部电子第四研究院

页数: 12 页

适用范围

本规范规定了GaN-N型低阻氮化镓单晶片的要求、质量保证规定、交货准备等

研制信息

起草单位:

中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人:

王再恩、张嵩、杨丹丹、齐海涛、洪颖、程红娟、李晖、高飞、郑风振、徐永宽

页数: 12 页

引用标准

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向Ｘ射线测量方法 GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 191-2000 包装储运图示标志 GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法 GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法 GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 GJB 179A-1996 GB/T 191-2025 包装储运图形符号标志

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