GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 12964-2003
被代替
国家标准
GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
GB/T 12964-2003 Monocrystalline silicon polished wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 12964-2003
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
元素半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2003-06-16
实施日期:
2004-01-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
归口单位:
中国有色金属工业标准计量质量研究所
页数:
10 页
研制信息
起草单位:
北京有色金属研究总院、洛阳单晶硅有限责任公司
起草人:
翟富义、孙燕、董慧燕、卢立延、曹孜、孙文海
替代以下标准
GB 12964-1996
被以下标准替代
引用标准
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB 1558-1983
GB/T 2828-1987
GB/T 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法
GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 12962-1996 硅单晶
GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向Ｘ射线测量方法
GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法
GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法
GB/T 14143-1993 300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法