GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 29504-2013
现行
国家标准
GB/T 29504-2013 300 mm硅单晶
GB/T 29504-2013 300 mm monocrystalline silicon
基本信息
标准编号:
GB/T 29504-2013
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
元素半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2013-05-09
实施日期:
2014-02-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
页数:
6 页
适用范围
本标准规定了直径300 mm、p型、100晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。
研制信息
起草单位:
有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司
起草人:
闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊
引用标准
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法
GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法