GB/T 47404-2026 即将实施 国家标准

GB/T 47404-2026 碳化硅单晶

GB/T 47404-2026 Monocrystalline silicon carbide

发布日期: 2026-03-31 实施日期: 2026-10-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们
价格: $ 33.00
无货

基本信息

标准编号: GB/T 47404-2026
标准类型: 国家级标准
标准状态: 即将实施
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 化合物半导体材料
国际标准分类名称: 半导体材料
发布日期: 2026-03-31
实施日期: 2026-10-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)
页数: 12 页

适用范围

本文件规定了碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。
本文件适用于直径不大于300 mm的4 H及6 H碳化硅单晶。
注:产品主要用于制作碳化硅单晶抛光片,广泛用于制作电力电子器件、射频微波器件及发光二极管(LED)发光器件。

研制信息

起草单位:

北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、宁夏创盛新材料科技有限公司、杭州晶驰机电有限公司

起草人:

佘宗静、彭同华、王波、张红岩、李国鹏、侯晓蕊、丁雄杰、蔡振立、邹宇、娄艳芳、胡建荣、郭森

字数: 15 千字 页数: 12 页

引用标准

GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法 GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法 GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法 GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法 GB/T 14264-1993 半导体材料术语 GB/T 14264-2009 半导体材料术语 GB/T 14264-2024 半导体材料术语 GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片 GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法 GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱 SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法

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