GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 30856-2025
现行
国家标准
GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底
GB/T 30856-2025 GaAs substrates for LED epitaxial chips
基本信息
标准编号:
GB/T 30856-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2025-08-01
实施日期:
2026-02-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
12 页
适用范围
本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。
本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。
研制信息
起草单位:
南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、广东先导微电子科技有限公司、全磊光电股份有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司、易事达光电(广东)股份有限公司、深圳市冠科科技有限公司、广东中阳光电科技有限公司
起草人:
赵中阳、郑红军、冯佳峰、于会永、刘建庆、孙雪峰、张双翔、闫宝华、林作亮、刘强、马金峰、赵有文、赵春锋、彭璐、徐宝洲、兰庆、陈皇
替代以下标准
引用标准
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