GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 30856-2014
被代替
国家标准
GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
GB/T 30856-2014 GaAs substrates for LED epitaxial chips
基本信息
标准编号:
GB/T 30856-2014
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2014-07-24
实施日期:
2015-04-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
16 页
适用范围
本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。
研制信息
起草单位:
中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司
起草人:
赵有文、提刘旺、林泉、于洪国、惠峰、赵坚强
被以下标准替代
引用标准
SEMI M9.7-0200
GB/T 191-2000 包装储运图示标志
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向Ｘ射线测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法
GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法
GB/T 191-2025 包装储运图形符号标志
GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法