GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 44334-2024
现行
国家标准
GB/T 44334-2024 埋层硅外延片
GB/T 44334-2024 Silicon epitaxial wafers with buried layers
基本信息
标准编号:
GB/T 44334-2024
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
元素半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2024-08-23
实施日期:
2025-03-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
16 页
适用范围
本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。
研制信息
起草单位:
南京国盛电子有限公司、西安龙威半导体有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、河北普兴电子科技股份有限公司、盖泽华矽半导体科技(上海)有限公司、赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司
起草人:
仇光寅、王银海、谢进、骆红、贺东江、马林宝、顾广安、李慎重、李春阳、徐西昌、徐新华、袁夫通、刘小青、米姣、周益初、张强
引用标准
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14139-1993 硅外延片
GB/T 14139-2009 硅外延片
GB/T 14139-2019 硅外延片
GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
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GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法
GB/T 35310-2017 200 mm硅外延片
GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 28-1992 硅片包装
YS/T 28-2015 硅片包装
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GB/T 14847-2025 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法